طراحی تراشه 3 بعدی
طراحی جدید تراشه 3 بعدی MIT از نانولوله‌های کربنی و سلول‌های RRAM استفاده می‌کند که هر دو را می‌توان در دمایی کمتر از 200 درجه سانتیگراد تولید کرد که به طور قابل توجهی کمتر از 1000 درجه‌ای است که برای ترانزیستورهای سیلیکونی سنتی مورد نیاز است. این فرآیند ساخت با دمای پایین امکان ایجاد ساختارهای چند لایه را فراهم می‌کند و به توسعه تراشه‌های 3 بعدی قدرتمند منجر می‌شود.
این معماری 3 بعدی مزایای متعددی ارائه می‌دهد. اولاً، این امکان را فراهم می‌کند تا پردازنده‌های کوچکی ایجاد شوند که قادر به پردازش حجم زیادی از داده‌ها به صورت محلی هستند و نیاز به سفر به مراکز داده را از بین می‌برند. این موضوع برای محاسبات لبه که در آن پردازش بلادرنگ داده‌ها از اهمیت ویژه‌ای برخوردار است، مانند خودروهای خودران، بسیار مهم است.
دوم اینکه، این طراحی هر دو مؤلفه منطقی و حافظه را روی یک تراشه واحد ادغام می‌کند و راندمان انرژی را در مقایسه با سیلیکون یا DRAM سنتی بهبود می‌بخشد. علاوه بر این، نانولوله‌های کربنی می‌توانند به عنوان سنسور عمل کنند و به لایه بالایی تراشه اجازه می‌دهند تا به طور مستقیم داده‌ها را جمع‌آوری و پردازش کند.
پتانسیل این طراحی تراشه 3 بعدی فراتر از محاسبات لبه است. این می‌تواند کلید ادامه قانون مور نیز باشد که بیان می‌کند تعداد ترانزیستورها روی یک میکروچیپ تقریباً هر دو سال دو برابر می‌شود. با رسیدن روش‌های ساخت تراشه سنتی به محدودیت‌های فیزیکی، رویکرد 3 بعدی MIT یک مسیر امیدوارکننده برای ادامه مقیاس گذاری نمایی قدرت محاسباتی ارائه می‌دهد.
